홍수삼성전자가 다음 주에 3나노 반도체 양산을 발표할 것으로 예상된다고 소식통이 수요일 소식통에 따르면, 첨단 칩 제조 공정에서 경쟁사인 TSMC를 능가했습니다.
차세대 3nm 칩은 GAA(Gate-All-Around) 기술을 기반으로 구축될 것이며, 삼성은 이 기술을 통해 현재 공정에 비해 최대 45%의 공간 절약과 30% 더 높은 성능 및 50% 더 낮은 전력 소비를 제공할 것이라고 말했습니다.
한국의 기술 대기업은 지난달 조 바이든 미국 대통령이 이곳 삼성의 반도체 공장을 방문했을 때 3나노 칩을 선보였습니다.
세계 최대 칩 제조사인 TSMC가 올해 하반기 3나노 칩 양산을 시작할 것이라고 밝혔다.
두 회사는 가장 진보되고 효율적인 칩을 대중 시장에 출시하고 고객을 칩 제조업체와 계약함으로써 서로를 능가하기 위해 치열한 경쟁을 벌였습니다.
세계 1위 메모리 칩 제조사이자 2위 파운드리 사업자인 삼성은 2나노 공정 노드가 개발 초기 단계에 있으며 2025년 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다.
업계 추적업체 트렌드포스(TrendForce)에 따르면 올해 1분기 세계 파운드리 시장의 점유율은 TSMC가 53.5%로, 삼성이 16.3%로 뒤를 이었다.
2019년에 삼성은 2030년까지 로직 칩 및 파운드리 부문에 1,510억 달러의 대규모 투자 계획을 발표했는데, 이는 기술 대기업이 메모리 분야 이외의 분야에서 리더십을 확장하려는 것입니다.
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