IVworks, 올해 첫 본격적인 상업 판매 예측

미국 IntelliEP와 ‘GaN 에피 웨이퍼 공급 및 기술 이전’파트너십 체결

Ivworks 8 인치 GaN-on-Si 에피 웨이퍼
Ivworks 8 인치 GaN-on-Si 에피 웨이퍼

18 일 국내 갈륨 질화물 (GaN) 에피 웨이퍼 스타트 업 아이브 웍스 (IVWorks)가 미국 에피 웨이퍼 업체 인 인텔리 에피 (IntelliEPI)와 협력하여 GaN 에피 웨이퍼 공급 및 기술 이전을했다고 18 일 밝혔다.

MEP (Molecular Beam Epitaxy) 장비로 Epiwafer가 양산 한 최대 8 인치 GaN-on-Si (실리콘 기판) 에피 웨이퍼와 6 인치 GaN-on-SiC (실리콘 카바이드 기판)까지 올해 공급하기로 결정했다. 아이브 웍스는 올해 처음으로 본격적인 양산 판매를 기록 할 것으로 기대하고있다. Intelliapp 공급 판매는 올해 IVWorks 판매의 대부분을 차지할 것으로 예상됩니다.

2011 년 설립 된 아이브 웍스는 2015 년 삼성 벤처 인베스트먼트와 송현 인베스트먼트로부터 약 5 억원의 종자 투자를 받았다. 삼성 벤처 투자는 지난해 말 총 80 억원을 투자 해 시리즈 B 투자에 참여했다. 아이브 웍스는 시리즈 A, A + 등 지난해 말까지 120 억원의 투자를 유치했다.

IntelliEP는 MBE 기술을 이용하여 갈륨 비소 (GaAs)와 인화 인듐 (InP)을 양산하고 있지만 GaN 에피 웨이퍼와 관련된 독자적인 양산 기술은 없습니다. 인텔리 EP는 “2018 년부터 우리는 IVWorks와 협력하여 MBE를 사용하여 GaN 에피 웨이퍼를 개발하고 양산했습니다. 우리는 GaN 에피 웨이퍼 생산 기술을 자사의 대량 생산 라인에 빠르게 통합 할 것”이라고 말했습니다. IntelliEP는 1999 년에 설립되었습니다.

아이브 웍스 노영균 대표는 “인텔리 EP의 오랜 통신 및 광 소자 에피 웨이퍼 사업 경험과 대형 MBE를 이용한 양산 기술 덕분에 GaN 에피 웨이퍼 사업의 경쟁력을 획기적으로 강화할 수있을 것”이라고 말했다. “우리는 반도체 시장에서 고품질 GaN 에피 웨이퍼에 대한 급증하는 수요에 적극적으로 대응할 것입니다.”

GaN 에피 웨이퍼는 무선 주파수 (RF) 전력 증폭기 (PA)로 들어가는 GaN 트랜지스터를 만드는 데 사용됩니다. 통신 중에 무선 신호를 증폭하는 PA 기능. GaN 트랜지스터는 기판에 따라 GaN-on-SiC와 GaN-on-Si로 세분화되며 GaN-on-SiC는 방열성이 우수합니다.

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5 세대 (5G) 이동 통신에 사용되는 주파수가 이전 세대보다 높기 때문에 PA에 대한 요구 사항도 증가하고 있습니다. 기존의 PA 트랜지스터에는 실리콘 (Si) 기반 LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)가 주로 사용되었습니다.

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